Нанокристаллический сердечник для синфазного индуктора
Использование нанокристаллического сердечника для синфазного индуктора дает значительные преимущества по сравнению с традиционными материалами, такими как феррит, в первую очередь благодаря его превосходным магнитным свойствам.
Использование нанокристаллического сердечника для синфазного индуктора дает значительные преимущества по сравнению с традиционными материалами, такими как феррит, в первую очередь благодаря его превосходным магнитным свойствам.
Нанокристаллический материал — это сплав (обычно на основе железа, кремния, бора и других элементов), который был обработан для образования структуры с чрезвычайно мелкими кристаллами размером всего около 10-20 нанометров. Эта уникальная структура дает ему революционную комбинацию двух ключевых свойств:
1.Очень высокая проницаемость (µ): легко намагничивается.
2. Высокая плотность потока насыщения (Bsat): он может работать с сильными магнитными полями до насыщения.
Традиционно вам приходилось выбирать между высокой проницаемостью (как у феррита) ИЛИ высокой насыщенностью (как у кремнистой стали). Нанокристаллический обеспечивает оба одновременно.
Ключевые причины использования нанокристаллов в синфазных индукторах
1. Более высокая производительность при меньшем размере (увеличенная плотность мощности)
2. Превосходные высокочастотные-производительности и меньшие потери
3. Превосходное подавление синфазного шума.
4. Повышенная термическая стабильность.
Вы используете нанокристаллический сердечник для синфазного индуктора, когда ваши приоритеты проектирования:
- Миниатюризация (меньший размер и вес)
- Высокая эффективность (меньшие потери, особенно на высокой частоте)
- Высокая мощность/плотность тока
- Превосходная фильтрация электромагнитных помех в соответствии со строгими стандартами
- Высокая термическая стабильность и надежность
|
НЕТ |
СПЕЦИФИКАЦИЯ |
ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ |
МАТЕРИАЛ КОРПУСА |
|
1 |
ОН-38*30*20 |
L=1025-1600мкГн@5 витков,Последовательное соединение,f=10кГц,0,1В/л=125-225мкГн при 5 витках,Последовательное соединение,f=150КГц,0,1В |
ППС |
|
2 |
ОН-52*36*18 |
L=1400-1950мкГн@5 турансов,последовательное соединение,f=10КГц,0,1В/L=225-400мкГн@5 витков,последовательное соединение,f=150КГц,0,1В |
ППС |
|
3 |
ОН-52*36*25 |
L=1625-2500мкГн@5 витков, последовательное соединение,f=10КГц,0,1В/L=250-425мкГн@5 витков,последовательное соединение,f=150КГц,0,2В |
ППС |
|
4 |
ОН-65*40*30 |
L=2500-4000мкГн@5 витков, последовательное соединение,f=10КГц,0,1В/L=300-575мкГн@5 витков,последовательное соединение,f=150КГц,0,1В |
ППС |
|
5 |
ОН-30*20*10 |
L=1250-2125мкГн при 4 кГц, 1В, 5 витков,L=162.5-275мкГн при 150 кГц, 1В, 5 витков |
ДОМАШНИЙ ПИТОМЕЦ |
|
6 |
ОН-25*16*12 |
11 Меньше или равно AL<12 мкГн при 150 кГц, 0,3 В, AL Больше или равно 45.9μH@10kHz.0.3v |
ПБТ |
|
7 |
ОН-25*16*12 |
AL Больше или равно 12 мкГн при 150 кГц, 0,3 В, AL Больше или равно 45.9μH@10kHz.0.3v |
ПБТ |
|
8 |
ОН-30*20*10 |
AL Больше или равно 10мкH@150kHz.0.3v,AL Больше или равно 34.9μH@10kHz.0.3v |
ПБТ |
|
9 |
ОН-30*20*10 |
AL Больше или равно 10μH@150kHz.0.3v,AL Больше или равно 34.9μH@10kHz.0.3v |
ПБТ |
|
10 |
ОН-28*18*10 |
AL Больше или равно 11 мкГн при 150 кГц, 0,3 В, AL Больше или равно 37,5 мкГн при 10 кГц, 0,3 В |
ПА66+30%GF |
|
11 |
ОН-32*20*10 |
AL Больше или равно 11 мкГн при 150 кГц, 0,3 В, AL Больше или равно 39,8 мкГн при 10 кГц, 0,3 В |
ПБТ+30%GF |
|
12 |
ОН-25*16*10 |
60 Меньше или равно AL <65 мкГн при 10 кГц, 0,5 В, 16,3 Меньше или равно AL Меньше или равно 20 мкГн при 100 кГц, 0,5 В, AL Больше или равно 2,85 мкГн при 1 МГц, 0,5 В |
ПА66 |
|
13 |
ОН-25*16*10 |
65 Меньше или равно AL Меньше или равно 79 мкГн при 10 кГц, 0,5 В, 16,3 Меньше или равно AL Меньше или равно 20 мкГн при 100 кГц, 0,5 В, AL Больше или равно 2,85 мкГн при 1 МГц, 0,5 В |
ПА66 |
|
14 |
ОН-32*20*10 |
AL Больше или равно 40 мкГн при 1 кГц, 0,3 В, AL Больше или равно 15 мкГн при 100 кГц, 0,3 В, AL Больше или равно 6,5 мкГн при 200 кГц, 0,3 В, 2,8 Меньше или равно AL < 3,0 мкГн при 1 МГц, 0,3 В |
ПБТ |
|
15 |
ОН-32*20*10 |
AL Больше или равно 40 мкГн при 1 кГц, 0,3 В, AL Больше или равно 15 мкГн при 100 кГц, 0,3 В, AL Больше или равно 6,5 мкГн при 200 кГц, 0,3 В, AL Больше или равно 3,0 мкГн при 1 МГц, 0,3 В |
ПБТ |
|
16 |
ОН-102*76*25 |
4.3 Меньше или равно AL Меньше или равно 5,5 мкГн при 100 кГц, 60 мА P100К,20мТМеньше или равно 0,45 Вт/кг; P100К,25мТМеньше или равно 0,69 Вт/К |
ПА66 |
|
17 |
ОН-120*85*25 |
18,2 Меньше или равно AL Менее или равно 33,3 мкГн при 10 кГц, 0,25 В 15,7 Меньше или равно AL Меньше или равно 29,9 мкГн при 100 кГц, 0,25 ВП100К,20мТМеньше или равно 0,47 Вт/кг; П100К,25мТМеньше или равно 0,73 Вт/кг; П20K,50mT Меньше или равно 0,18 Вт/кг; |
ПБТ |
|
18 |
ОН-120*85*25 |
AL Больше или равно 111 мкГн при 10 кГц, 0,25 В, AL Больше или равно 22,3 мкГн при 100 кГц, 0,25 В |
ПБТ |
|
19 |
ОН-20*12*10 |
40 Меньше или равно AL Менее или равно 70 мкГн при 10 кГц, 10 мА, AL Больше или равно 12 мкГн при 100 кГц, 10 мА |
ФР530 |
|
20 |
ОН-20*12*10 |
45 Меньше или равно AL Меньше или равно 70 мкГн при 10 кГц, 0,1 В, AL Больше или равно 12 мкГн при 100 кГц, 0,1 В, Z Больше или равно 20 Ом при 1 МГц, 0,1 В |
ФР530 |
|
21 |
ОН-50*40*20 |
AL Больше или равно 55 мкГн при 10 кГц, 1 В, AL Больше или равно 11 мкГн при 100 кГц, 1 В |
ПА66 |
|
22 |
ОН-32*20*10 |
AL Больше или равно 30 мкГн при 1 кГц, 0,25 В, AL Больше или равно 13 мкГн при 100 кГц, 0,25 В, AL Больше или равно 2,1 мкГн при 1 МГц, 0,25 В |
ПБТ |
|
23 |
ОН-32*20*10 |
AL Больше или равно 25 мкГн при 1 кГц, 0,25 В, AL Больше или равно 8,5 мкГн при 100 кГц, 0,25 В, AL Больше или равно 1,6 мкГн при 1 МГц, 0,25 В |
ПБТ |
|
24 |
ОН-32*20*10 |
AL Больше или равно 25 мкГн при 1 кГц, 0,25 В, AL Больше или равно 8,0 мкГн при 100 кГц, 0,25 В, AL Больше или равно 1,0 мкГн при 1 МГц, 0,25 В |
ПБТ |
|
25 |
ОН-32*20*10 |
AL Больше или равно 11 мкГн при 150 кГц, 0,25 В |
ПБТ |
|
26 |
ПО-14,9*10,3*5,4 |
11.2 Меньше или равно AL Меньше или равно 20,8 мкГн при 1 кГц, 0,3 В 11.2 Меньше или равно AL Меньше или равно 20,8 мкГн при 10 кГц, 0,3 В |
ПБТ |
|
27 |
ОН-30*25*15 |
5,49 Меньше или равно AL Меньше или равно 10,64 мкГн при 10 кГц, 18 мА 4.13 Меньше или равно AL Меньше или равно 8,0 мкГн при 100 кГц, 18 мА |
ПБТ |
|
28 |
ОН-30*20*10 |
46 Меньше или равно AL Меньше или равно 86мкГн при 10 кГц, 20 мА 10,5 Меньше или равно AL Меньше или равно 21,1 мкГн при 100 кГц, 20 мА |
ФР530 FR50(Кохсель) |
|
29 |
ОН-30*20*15 |
67,4 Меньше или равно AL Меньше или равно 126,4 мкГн при 10 кГц, 0,2 В 15.4 Меньше или равно AL Меньше или равно 31,5 мкГн при 100 кГц, 0,2 В |
ПБТ |
|
30 |
ОН-31*19*15 |
AL Больше или равно 100 мкГн при 1 кГц, 0,25 В |
ПБТ |
|
31 |
ОН-26*19*10 |
AL Больше или равно 30 мкГн при 1 кГц, 1 В |
ПА66 |
|
32 |
ОН-26*19*10 |
AL Больше или равно 40 мкГн при 1 кГц, 0,3 В |
ПА66 |
|
33 |
ОН-26*19*10 |
40 Меньше или равно AL Меньше или равно 60 мкГн при 1 кГц, 0,3 В |
ПА66 |
|
34 |
ОН-30*20*15 |
92,5 Меньше или равно AL Меньше или равно 117,2 мкГн при 1 кГц, 0,3 В |
ПБТ |
|
35 |
26*19*10 |
AL>36 @ 1 кОм, 0,3 В, 100 Ом;> 7 Ом, @ 100 кОм, 0,3 В, Z> 11 Ом, @ 400 кОм, 0,3 В |
|
|
36 |
25*16*10 |
AL>16 мкГн при 100 кОм, 0,3 В, 100 Ом |
|
|
37 |
50*32*15 |
AL>100 мкГн при 1 кОм, 0,25 В, 100 Ом |
|
|
38 |
32*20*10 |
||
|
39 |
40*25*10 |
||
|
40 |
45*30*15 |
118 мкГн Больше или равно AL Больше или равно 78 мкГн при 100 К, 0,3 В, 100 Ом, 30 мкГ Больше или равно AL Больше или равно 17 мкГ при 100 К, 0,3 В, 100 Ом |
|
|
41 |
21*16*10 |
AL Больше или равно 30 мкГн @ 1K, 0,3 В, Q值12T＞2,2 |
|
|
42 |
30*20*15 |
55 мкГн Больше или равно AL Больше или равно 30 мкГн при 1 К, 0,35 В, 100 Ом; AL > 19,5 мкГн при 100 К, 0,3 В, 100 Ом |
|
|
43 |
22*17*10 |
AL > 35 мкГн при 10 кГц, 0,25 В, 100 Ом; 7,6 мкГн > AL > 11,4 мкГн при 100 кГц, 0,25 В, 100 Ом |
|
|
44 |
26*16*10 |
||
|
45 |
32*20*10 |
|
|
|
46 |
32*20*10 |
|
|
|
47 |
30*20*15 |
126,4 мкГн Больше или равно AL Больше или равно 69,7 мкГн @10K, 0,2 В; 31,5 Больше или равно AL Больше или равно 16,5 мкГн @100K 0,2 В |
|
|
48 |
32*20*10 |
AL>45μH @1K 1V;AL>28μH @10K 1v;AL>14μH @100K 1v;AL>2.2μH @1M 1v;阻抗Z>17Ω @100 |
|
|
49 |
32*20*10 |
AL>30 мкГн при 1 К 0,25 В; AL> 8 мкГн @ 150 К 0,25 В; AL> 2,1 мкГн @ 1 М 0,25 В |
|
|
50 |
50*32*15 |
AL > 40 мкГн при 40 К/1 В; Q > 1,0 |
|
|
51 |
170*120*25 |
AL>85 мкГн @ 10 кОм 1 В; AL> 22 мкГн @ 100 кОм 1 В |
|
|
52 |
30.8*20.4*3.2 |
12.6 Больше или равно AL Больше или равно 8,5 мкГн при f= 16 кГц/1,0 В; 7.2 Больше или равно AL Больше или равно 5,0 мкГн при f= 100 кГц/1,0 В ,100 Ом (80 % выходного сопротивления шт. Больше или равно 5,5 мкГн); Z Больше или равно 8,95 Ом при f= 1 МГц,/1,0 В |
|
|
53 |
30*20*10 |
19 мкГн Больше или равно AL Больше или равно 13 мкГн при 100K 0,1 В |
|
|
54 |
40*25*20 |
85 мкГн Больше или равно AL Больше или равно 65 мкГн при 1K 0,3 В |
|
|
55 |
32*20*10 |
AL>86мкГн при 1К 0,3В;AL>56мкГн при 10К 0,3В |
|
|
56 |
26*19*10 |
52,8＞AL＞36@10к,0,1В |
|
|
57 |
40*30*8 |
AL>67мкГн @1K,0,3В |
|
|
58 |
20*12*10 |
25 мкГн > AL > 12,5 мкГн при 10 К, 0,1 В; 20 мкГн > AL > 10 мкГн при 100 К, 0,1 В |
|
|
59 |
40*32*15 |
14,7 мкГн > AL > 7,6 мкГн при 10 К, 0,3 В; 11,8 мкГн > AL > 5,9 мкГн при 100 К, 0,3 В |
|
|
60 |
30*20*10 |
AL > 46,2 мкГн при 10 К 1 В; AL > 13,0 мкГн при 100 К 1 В; вес больше или равен 23 г |
|
|
61 |
45*30*15 |
118 мкГн > AL > 70 мкГн при 10 К, 0,3 В; 30 мкГн > AL > 17 мкГн при 100 К, 0,3 В |
|
|
62 |
25*16*10 |
80 мкГн > AL > 65 мкГн при 10 К, 1 В |
|
|
63 |
25*15*4 |
22,5 мкГн > AL > 10,5 мкГн при 10 К, 0,3 В; 12,1 мкГн > AL > 6,5 мкГн при 100 К, 0,3 В; Z > 3,5 Ом |
|
|
64 |
32*20*10 |
|
|
|
65 |
32*20*12 |
AL Больше или равно 60,5 мкГн при 1 К, 0,25 В; AL > 19 мкГн при 150 К, 0,25 В |
|
|
66 |
32*20*10 |
AL Больше или равно 50 мкГн при 1 К, 0,25 В; AL Больше или равно 12 мкГн при 150 К, 0,25 В |
|
|
67 |
28.2*19*4 |
AL > 33 мкГн при 1 К 1 В; AL > 25 мкГн при 10 К 1 В; |
|
|
68 |
34*23*4 |
AL > 30 мкГн при 1 К 1 В; AL > 25 мкГн при 10 К 1 В; |
|
|
69 |
20*12*10 |
25 мкГн > AL > 12,5 мкГн при 10 К, 0,1 В; 20 мкГн > AL > 10 мкГн при 100 К, 0,1 В |
|
|
70 |
25*15*4 |
22.5μH＞AL＞10.5μH@10K,0.3V;12.1μH＞AL＞6.5μH@100K,0.3V,阻抗>3.5Ω |
|
|
71 |
37*20*18 |
40k,0.3V>70μH,Q value >1.25 |
|
|
72 |
50*32*15 |
40k,0.3V>42μH,Q value >1.3 |
|
|
73 |
40*25*15 |
1K,0.3V>55μH;100K,0.3V>24μH |
|
|
74 |
30*20*10 |
AL=41uH±30%, @ 10 кГц, 0,3 В |
|
|
75 |
22*18*10 |
AL=29uH±30%, @10 кГц, 0,3 В |
|
|
76 |
60*40*25 |
AL>125μH@10K,0.3V |
|
|
77 |
28*18*15 |
AL>50μH@10K.AL>10μH @200k,0.3V |
|
|
78 |
10*6.5*4.5 |
AL>18μH@10K,0.3V |
|
|
79 |
24.2*16.2*10 |
AL>55μH@10K,0.3V |
|
|
80 |
17.5*12.7*6.5 |
AL>20μH@20K,0.1V |
|
|
81 |
26*16*10 |
AL>62uH @1K 0,25 В |
|
|
82 |
32*20*10 |
AL>50uH @1K 0,25 В |
|
|
83 |
12*8*4.5 |
AL>18μH@10K,0.3V |
|
|
84 |
20*12*10 |
33 Меньше или равно AL Меньше или равно 56 мкГн при 10 К, 0,3 В |
|
|
85 |
14*10*4.5 |
AL>18μH@10K,0.3V |
|
|
86 |
17.5*12.7*6.5 |
AL>20μH@20K,0.1V |
|
|
87 |
165*115*25 |
AL=100μH左右@30K 0,5T, 25 Вт/кг |
|
|
88 |
52*36*20 |
AL>92uH@1K,1В;AL>27,5uH@100K,1В |
|
|
89 |
30*20*19 |
AL Больше или равно 52uH@40K, значение Q Больше или равно 1,5 |
|
|
90 |
50*32*15 |
AL Больше или равно 70uH при 40K, значение Q Больше или равно 1,5 |
|
|
91 |
50*32*20 |
AL Больше или равно 40uH@40K, значение Q Больше или равно 1,2 |
|
|
92 |
37*20*18 |
AL Больше или равно 65uH@40K, значение Q Больше или равно 1,2 |
|
|
93 |
64*40*20 |
AL Больше или равно 90uH при 40K, значение Q Больше или равно 1,2 |
|
|
94 |
19*14*8 |
AL>37uH@10K,1В |
|
|
95 |
40*32*15 |
23,5 мкч Больше или равно AL Больше или равно 11,5 мкч @10K, 0,3 В; 18,5 мкч Больше или равно AL Больше или равно 9,4 мкч @ 100K 0,3 В |
|
|
96 |
25*20*10 |
45,0 мкч＞AL＞22,5мкч @10K, 0,3В; 5,0мкч＞AL @100K 0,3В |
|
|
97 |
72*39*7*20 |
73 Больше или равно AL Больше или равно 48 мкч при 10K, 35 мА; 22,7 Больше или равно AL Больше или равно 14 мкч при 100K, 35 мА; |
|
|
98 |
50*40*20 |
65,7 Больше или равно AL Больше или равно 34 мкч @ 10K, 0,3 В; 20,3 Больше или равно AL Больше или равно 10,1 мкч @ 100K 0,3 В |
|
|
99 |
20*12.5*8 |
77 Больше или равно AL Больше или равно 42 мкч при 10 кОм, 0,3 В; 19,5 Больше или равно AL Больше или равно 9,6 мкч при 100 кОм, 0,3 В |
|
|
100 |
25*20*10 |
40 Больше или равно AL Больше или равно 21 мкч при 10 кОм, 0,3 В; 10,5 Больше или равно AL Больше или равно 6 мкч при 100 кОм, 0,3 В |
|
|
101 |
30*20*10 |
84 Больше или равно AL Больше или равно 45 мкч при 10 кОм, 0,3 В; 20,5 Больше или равно AL Больше или равно 10,5 мкч при 100 кОм, 0,3 В |
|
|
102 |
40*25*15 |
146 Больше или равно AL Больше или равно 76 мкч при 10 кОм, 0,3 В |
|
|
103 |
20*12.5*8 |
AL>32μH,@10K,0.3V |
|
|
104 |
15*10*4.5 |
AL>15.5μH,@10K,0.3V |
|
|
105 |
25*16*10 |
AL Больше или равно 16uH при 100K 0,3 В |
|
|
106 |
30*20*10 |
18 Больше или равно AL Больше или равно 12,5 мкч при 100 кОм, 0,3 В |
|
|
107 |
30*20*10 |
AL Больше или равно 18 мкч при 100 кОм, 0,3 В |
|
|
108 |
35*25*15 |
36 Больше или равно AL Больше или равно 19 мкч при 10 кОм, 0,1 В; 21 Больше или равно AL Больше или равно 12 мкч при 100 кОм, 0,1 В |
|
|
109 |
50*40*20 |
AL Больше или равно 58 мкч при 10 кОм, 0,3 В; AL Больше или равно 13 мкч при 100 кОм, 0,3 В |
|
|
110 |
19*14*8 |
AL Больше или равно 75 мкч при 1 кОм, 0,3 В |
|
|
111 |
70*40*25 |
AL Больше или равно 100 мкч при 40 кОм, 1 В, значение Q Больше или равно 1,2 |
|
|
112 |
25*20*10 |
AL > 32 мкХ @ 10 кОм, 1 В |
|
|
113 |
75*55*20 |
AL>71 мкч @ 1 кОм, 1 В; AL> 16,5 мкч @ 100 кОм, 1 В |
|
|
114 |
40*25*15 |
AL=90uH±20%, @10k,0,3В;AL=23.1uH±20%,@100k,0,3В |
|
|
115 |
16.2*24.2*10 |
AL Больше или равно 55 мкч при 10 кОм, 0,3 В |
|
|
116 |
25*15*4 |
AL=1650uH±30%, @16k,1В;AL=900uH±30%,@100k,1В |
|
|
117 |
29*21*6.5 |
61 Больше или равно AL Больше или равно 33 мкГн при 1 кОм, 0,3 В |
|
|
118 |
50*80*20 |
169 Больше или равно AL Больше или равно 88,5 мкч при 10 кОм, 1 В |
|
|
119 |
25*17*10 |
AL Больше или равно 12 мкч при 100 кОм, 0,3 В |
|
|
120 |
32*20*10 |
AL Больше или равно 120 мкч при 1 кОм, 0,3 В |
Другие размеры и требования к производительности могут быть настроены.
горячая этикетка : нанокристаллическое ядро для синфазного индуктора, Китай нанокристаллическое ядро для синфазного индуктора производители, поставщики, завод
Отправить запрос
